类别:芯片电阻-表面安装,描述:RES576KOHM1/4W1%1206SMD,系列:MCR18,制造商:RohmSemiconductor,电阻333Ω444:576k,功率333W444:0.25W，1/4W,成分:厚膜,特性:-,温度系数:卤100ppm/掳C,容差:卤1%,封装__外壳:1206（3216公制）,供应商器件封装:120
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利恒科技（香港）有限公司主营产品及服务，利恒科技（香港）有限公司主营集成电路IC 主要专营的产品有AD，MAXI，TI，Fairchild，ST，TFK，PHILIPS，MOTOROLA，Hitachi，IR，ON，NATIONALSEMICONDUCTOR,RoHM,Samsung,SHARP，DALLASTOSHIBA,VISHAY等知名品牌。
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类别:逻辑-栅极和逆变器,描述:ICGATENORQUAD2INPUT14TSSOP,系列:74ACTQ,制造商:FairchildSemiconductor,逻辑类型:或非门,电路数:4,输入数:2,特性:-,电压_电源:4.5V~5.5V,电流_静态111最大值222:2碌A,电流_输出高qqq低:24mA，24mA,逻辑电平_低:0.8V,逻辑电平_高:2
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深圳市洪胜创新科技有限公司主营产品及服务，深圳市洪胜创新科技有限公司代理产品线：Micon（麦肯）单片机、Microchip单片机，圣邦微，长电牌子
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UI中国,前身为iconfans.com。是专业的界面设计师交流、学习/展示平台.同时也是UI设计师人才流动的集散地,会员均为一线UI设计师,覆盖主流互联网公司.我们希望借助互联网的力量打造国内最专业的UI设计平台,为UI设计师做最好的服务,提高UI设计行业价值!
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类别:电容器,描述:CAPALUM560UF6.3V20%RADIAL,系列:PM,制造商:Nichicon,电容:560碌F,额定电压:6.3V,容差:卤20%,寿命0a0温度:105掳C时为5000小时,工作温度:-55掳C~105掳C,特点:通用,纹波电流:485mA,ESR111等效串联电阻222:-,阻抗:130毫欧
更新时间：2025-04-21 直链：upm0j561mpd6.icpartno.51dzw.com
类别:电容器,描述:CAPALUM220UF16V20%RADIAL,系列:KL,制造商:Nichicon,电容:220碌F,额定电压:16V,容差:卤20%,寿命0a0温度:105掳C时为1000小时,工作温度:-40掳C~105掳C,特点:通用,纹波电流:259mA,ESR111等效串联电阻222:-,阻抗:-,安装类型:通
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类别:电容器,描述:CAPALUM100UF6.3V20%SMD,系列:CD,制造商:Nichicon,电容:100碌F,额定电压:6.3V,容差:卤20%,寿命0a0温度:105掳C时为2000小时,工作温度:-55掳C~105掳C,特点:通用,纹波电流:240mA,ESR111等效串联电阻222:-,阻抗:700毫欧,安装
更新时间：2025-04-21 直链：ucd0j101mcl6gs.icpartno.51dzw.com
类别:晶体管(BJT)-阵列o预偏压式,描述:TRANSARRAYPNP/PNPW/RESMINI5,系列:-,制造商:PanasonicElectronicComponents-SemiconductorProducts,晶体管类型:2个PNP预偏压式（双）,电流_集电极333Ic444111最大222:100mA,电压_集电极发射极击穿111最大222:50V,电阻
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类别:逻辑-FIFO,描述:ICASYNCFIFOMEM256X932-PLCC,系列:CY7C,制造商:CypressSemiconductorCorp,功能:异步,存储容量:2.3K（256x9）,数据速率:50MHz,访问时间:10ns,电压_电源:4.5V~5.5V,工作温度:-40掳C~85掳C,安装类型:表面贴装,封装__外壳:32-L
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北京尼科荣光仪器仪表有限公司是一家致力于个性化定制配气仪研制开发的厂家，为您提供智能稀释配气仪、红外气体分析仪、动态配气仪、汞分析仪、高压配气系统、液态有机溶剂配气系统、气体发生器、零气发生器、汞标气发生器、呼出气体酒精含量检测仪检定装置等产品，业务覆盖北京、上海、天津、重庆、浙江、江苏、广东、山东等地。
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东莞市翊辉硅胶制品厂具备10年行业经验，专注硅胶开模定制,现有4500平方生产厂房,有专业研发生产团队,包含产品类别有:食品级硅胶密封圈-硅胶按键-硅胶套-硅胶配件等.
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类别:电容器,描述:CAPALUM22UF200V20%RADIAL,系列:CY,制造商:Nichicon,电容:22碌F,额定电压:200V,容差:卤20%,寿命0a0温度:105掳C时为10000小时,工作温度:-40掳C~105掳C,特点:通用,纹波电流:225mA,ESR111等效串联电阻222:-,阻抗:-,安装类型:
更新时间：2025-04-20 直链：ucy2d220mpd1td.icpartno.51dzw.com
类别:FET-单,描述:MOSFETN-CH800V4.1ATO-262,系列:-,制造商:VishaySiliconix,FET型:MOSFETN通道，金属氧化物,FET特点:标准,漏极至源极电压333Vdss444:800V,电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.1A,开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:3欧姆@2.5A
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类别:FET-单,描述:MOSFETN-CH600V16ATO-3P,系列:SuperFET,制造商:FairchildSemiconductor,FET型:MOSFETN通道，金属氧化物,FET特点:标准,漏极至源极电压333Vdss444:600V,电流_连续漏极333Id4440a025000C:16A,开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a0
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深圳市思泰克光电科技有限公司(Sinic-TekVisionTechnologyCo.,Ltd.)主要以电子装配行业(PCBA)制造和半导体(Semiconductor)制造中的三维无损光学检测系统软/硬件的开发、生产、销售及增值服务为主营。公司采...
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类别:晶体管(BJT)-阵列,描述:TRANSARRAYNPN/NPNMINI-5,系列:-,制造商:PanasonicElectronicComponents-SemiconductorProducts,晶体管类型:2NPN（双）,电流_集电极333Ic444111最大222:500mA,电压_集电极发射极击穿111最大222:20V,IbeeeIc条件下的Vce饱和度11
更新时间：2025-04-20 直链：xn0155800l.icpartno.51dzw.com
类别:晶体管(BJT)-单路,描述:TRANSISTORPNP65V100MATO-92,系列:-,制造商:FairchildSemiconductor,晶体管类型:PNP,电流_集电极333Ic444111最大222:100mA,电压_集电极发射极击穿111最大222:65V,IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222:650mV@5mA，100mA,电流_集电极截止1
更新时间：2025-04-20 直链：bc556btar.icpartno.51dzw.com
类别:存储器,描述:ICSRAM72MBIT375MHZ165TFBGA,系列:-,制造商:CypressSemiconductorCorp,格式_存储器:RAM,存储器类型:SRAM-同步，QDRII,存储容量:72M（4Mx18）,速度:375MHz,接口:并联,电压_电源:1.7V~1.9V,工作温度:0掳C~70掳C,封装__外壳:165-
更新时间：2025-04-19 直链：cy7c1563v18-375bzc.icpartno.51dzw.com
类别:电容器,描述:CAPALUM10UF35V20%RADIAL,系列:ST,制造商:Nichicon,电容:10碌F,额定电压:35V,容差:卤20%,寿命0a0温度:105掳C时为1000小时,工作温度:-55掳C~105掳C,特点:通用,纹波电流:36mA,ESR111等效串联电阻222:-,阻抗:-,安装类型:通孔,封
更新时间：2025-04-19 直链：ust1v100mdd.icpartno.51dzw.com
类别:芯片电阻-表面安装,描述:RES1.5KOHM1/20W1%0201SMD,系列:MCR006,制造商:RohmSemiconductor,电阻333Ω444:1.5k,功率333W444:0.05W，1/20W,成分:厚膜,特性:获得AEC-Q200汽车认证,温度系数:卤250ppm/掳C,容差:卤1%,封装__外壳:0201（06
更新时间：2025-04-19 直链：mcr006yzpf1501.icpartno.51dzw.com
类别:晶体管(BJT)-单路,描述:TRANSNPNGPBIPOLN45VTO-92,系列:-,制造商:ONSemiconductor,晶体管类型:NPN,电流_集电极333Ic444111最大222:200mA,电压_集电极发射极击穿111最大222:45V,IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222:300mV@5mA，50mA,电流_集电极截止111最大222:
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